第一千九百一十三章 想出口恶气
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第一千九百一十三章 想出口恶气 (第1/3页)「这是个非常精辟的观点。」周至点头表示理解：「但是从位升级到块，就不可避免地会发生一个问题。」
「每一个集成电路上的存储栅格，其擦写寿命是有次数上限的，以前是按位擦写，写坏了一个，就跳到另一个去继续，这样对于芯片的存储空间来说，坏一个跳过一个，没有什么大问题。」
「现在从位读写变成了块读写，问题就变成了坏一个栅格，一个数据块不能用，对于闪存的寿命质量要求来说，这样的浪费就太大了。」
「的确是有这个问题。」舛冈富士雄皱眉道：「但是我们也提出了解决的办法，那就是对区块的使用尽量平均，用随机的算法去访问下一个可供读写的数据块，避免对同一数据块的过度重复使用，这样可以解决一大部分的问题。」
「的确，从我们四叶草对东芝NANd闪存的分析中，我们也发现了舛冈先生发明的这个算法，相当的聪明和折中。」周至笑道：「但是舛冈先生不能不承认，这只是一个治标不治本的方案，依然会发生坏一个点，一个块不能使用的情况，不是终极的解决办法。」
「对不起周桑，给您添麻烦了！」周至指出的问题，的确是舛冈团队在一代NANd闪存中没能够解决的问题：「周桑说的这些问题的确存在，我们本来准备改进的，不过现在……」
「不过现在连NANd团队都没了是吧？」松井造说道。
「这个……基础保障还是有的……」舛冈富士雄的脸上露出一些窘迫：「据我所知，东芝还是准备用dRA的利益反哺一些给NANd，保住给四叶草供片的能力的……」
不过这话里自己都透露着相当的不自信。
「如果有资金，有团队，舛冈先生准备怎么解决这个问题？」周至问道：「我问的是思路。」
「思路倒是有好几条。」舛冈说道：「首先就是增加栅格的面积，减少电荷的翻转和飘移，让数据存储更加精准的同时，也能够减少无效擦写
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